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厚膜電阻,最小達(dá)0075微型化尺寸 提供全無(wú)鉛厚膜芯片電阻與特殊應(yīng)用之厚膜芯片電阻 工業(yè)等級(jí)抗硫化產(chǎn)品

為確保電路的安全，關(guān)鍵在可靠的電流測(cè)定以保護(hù)，控制以及監(jiān)控操作的電源及儀表系統(tǒng)。

薄膜芯片電阻提供高精密度，高穩(wěn)定性，±0.1％的窄公差和±25ppm/℃的低TCR。

高壓電阻系列產(chǎn)品 ，最適用于工業(yè)自動(dòng)化，電源及電池充電器。

無(wú)鉛芯片電阻符合RoHS排外條款（7C-1）的所有焊接工藝兼容。該系列產(chǎn)品是在自動(dòng)放置表面安裝應(yīng)用有著高度的穩(wěn)定。

硫化貼片電阻包含厚膜及薄膜的電阻式技術(shù)，在含硫的環(huán)境下有卓越的性能 。

抗浪涌電阻提供優(yōu)異的脈沖負(fù)載性能。

陶瓷電容以滿足電子設(shè)備的所有要求。無(wú)磁性、可靠且通過(guò)IEC60068認(rèn)證; 鑒于環(huán)境保護(hù)責(zé)任，產(chǎn)品符合RoHS和無(wú)鹵素標(biāo)準(zhǔn)。

軟端電極電容可以抵抗至少3mm的boardflex, 可以靈活運(yùn)用在終端系統(tǒng)上。這些軟端電極電容在高應(yīng)力彎曲的電路板、電源供應(yīng)切換和基地臺(tái)具有良好的表現(xiàn)力。

薄膜與紙質(zhì)電容采用表面貼裝和通孔形式，可用于各種行業(yè)的所有電子設(shè)備，如電力與替代能源、工業(yè)、電信、汽車、軍事、醫(yī)療及消費(fèi)類電子等應(yīng)用。

是一款4合1電容。排容可以節(jié)省空間，提高生產(chǎn)效率。

聚合物電容已成為尋求低ESR、高容值、長(zhǎng)壽命、小尺寸、薄型機(jī)高紋波電流處理能力的應(yīng)用的最佳電容解決方案。固態(tài)電解電容與導(dǎo)電聚合物陰極的搭配使用成為業(yè)界具有最低ESR的超高能量密度電容解決方案。

貼片熱敏電阻采用錳、鈷、鎳等金屬氧化物經(jīng)高溫?zé)贫傻陌雽?dǎo)體電阻器，對(duì)溫度變化的敏感度極高， 電阻值隨著本體溫度升高而降低，用于線路中溫度檢測(cè)和控制。

貼片壓敏壓敏電阻器，具備寄生電感小、體積小、SMT效率高、響應(yīng)時(shí)間短、工作溫度高、保護(hù)能力強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。

體積小 漏磁小，不產(chǎn)生耦合，可靠性高 無(wú)引線，不產(chǎn)生跟蹤性，適合高密度表面貼裝 優(yōu)良的可焊性及耐熱沖擊性，適合波峰焊及回流焊

體積小，適合高密度表面貼裝； 采用端電極結(jié)構(gòu)，很好地抑制了引線引起的寄生元件效應(yīng)，具有高可靠性； 精度高、Q值高； 優(yōu)良的焊接性和耐焊性。

片式共模電感具有小型化、高品質(zhì)、高儲(chǔ)能、低電阻的特點(diǎn)。底部表面平整，適合表面安裝，端部強(qiáng)度好，可焊性好，漏磁低，直接電阻低，電流電阻大。

都能抑制高頻信號(hào)。磁環(huán)加上穿過(guò)它的導(dǎo)線，一定程度上相當(dāng)于增大了導(dǎo)線的電感，這也與電感類似。磁環(huán)具有高損耗系數(shù)，可把高頻電磁能量通過(guò)渦流轉(zhuǎn)換成熱能，從而抑制高頻信號(hào)的通過(guò)，屬于損耗濾波器類。

片式鐵氧體磁珠是應(yīng)用最為廣泛的EMI抑制元件，一般根據(jù)生產(chǎn)廠家提供的數(shù)據(jù)和阻抗頻率曲線選擇使用。廠家通常提供阻抗、直流電阻、額定電流等數(shù)據(jù)和阻抗頻率曲線。

體積小、漏電流和介質(zhì)損耗小，頻率及溫度特性好，壽命長(zhǎng)，可靠性高、穩(wěn)定性好，而且有很寬的工作溫度范圍，長(zhǎng)時(shí)間工作和擱置后性能穩(wěn)定。

具有長(zhǎng)壽命、低阻抗、低ESR、耐清洗。

牛角型電解電容器有優(yōu)良的高頻、超長(zhǎng)壽命、高可靠性、高紋波電流特性

圓柱形、金屬外殼、單向引出、引出方式為螺栓式,有極性、有壓力釋放裝置(采用點(diǎn)動(dòng)防燃裝置，當(dāng)電容器內(nèi)壓增加或產(chǎn)品發(fā)生擊穿時(shí)不會(huì)有易燃品飛出)

固態(tài)電容是采用固態(tài)導(dǎo)電高分子材料取代電解液作為陰極，取得了革新性發(fā)展。導(dǎo)電高分子材料的導(dǎo)電能力通常要比電解液高2～3個(gè)數(shù)量級(jí)，應(yīng)用于鋁電解電容可以大大降低ESR、改善溫度頻率特性。

肖特基勢(shì)壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡(jiǎn)稱肖特基二極管）是近年來(lái)間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。

交流電抗器也叫AC扼流圈，AC扼流圈可在共模，普通模式和雙模式下使用。我們的扼流圈是由多種芯材制成的，這些芯材允許各種形狀因數(shù)和磁導(dǎo)率水平，以將衰減的噪聲集中在寬頻帶或集中頻帶上。

直流電抗器利用流過(guò)線圈的電流的磁通量來(lái)屏蔽某些頻率。KEMET的共模和普通模式扼流圈產(chǎn)品組合適用于各種應(yīng)用

脈沖變壓器是經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)的共模扼流圈，可濾除來(lái)自電力線通信的電源變壓器或調(diào)制解調(diào)器的模擬前端的任何共模EMI電流。

KEMET提供廣泛的電源直通EMI / RFI濾波器，以解決由于發(fā)電系統(tǒng)的開關(guān)元件產(chǎn)生的高功率瞬變而引起的常見干擾。

導(dǎo)線電阻具備小體積、高精密、高壓、保險(xiǎn)絲熔斷、超低阻值和大功率等多樣特性

高功率電阻具有體積小、重量輕、安裝密度高，抗震性強(qiáng)．抗干擾能力強(qiáng)，高頻特性好。

瓷介電容是用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。

開關(guān)二極管是半導(dǎo)體二極管的一種，是為在電路上進(jìn)行"開"、"關(guān)"而特殊設(shè)計(jì)制造的一類二極管。

快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。

橋式整流器是一種電子元件，內(nèi)部由多個(gè)二極管組成。主要作用是整流，調(diào)整電流方向

一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié)，有正極和負(fù)極兩個(gè)端子。

瞬態(tài)電壓抑制二極管（Transient voltage suppression diode）也稱為TVS二極管，是一種保護(hù)用的電子零件，可以保護(hù)電器設(shè)備不受導(dǎo)線引入的電壓尖峰破壞。

晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電信號(hào)來(lái)控制自身的開合，所以開關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

數(shù)字三極管（Digital triode），是帶電阻的晶體管, 有的僅在基極上串聯(lián)一只電阻, 一般稱為R1 , 有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2 。電阻R1有多種電阻, 類似標(biāo)準(zhǔn)電阻系列配制,電阻R2情況類似R1 , , 電阻R1 與電阻R2 可按多種方式搭配, 因此數(shù)字三極管的品種很多。

達(dá)林頓管就是兩個(gè)三極管接在一起，極性只認(rèn)前面的三極管。具體接法如下，以兩個(gè)相同極性的三極管為例，前面三極管集電極跟后面三極管集電極相接，前面三極管發(fā)射極跟后面三極管基極相接，前面三極管功率一般比后面三極管小，前面三極管基極為達(dá)林頓管基極，后面三極管發(fā)射極為達(dá)林頓管發(fā)射極，用法跟三極管一樣，放大倍數(shù)是兩個(gè)三極管放大倍數(shù)的乘積

橋式整流器是一種電子元件，內(nèi)部由多個(gè)二極管組成。主要作用是整流，調(diào)整電流方向

鉭電容是電容器中體積小而又能達(dá)到較大電容量的產(chǎn)品，是1956年由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室首先研制成功的，它的性能優(yōu)異。鉭電容器不僅在軍事通訊，航天等領(lǐng)域應(yīng)用，而且鉭電容還在工業(yè)控制、影視設(shè)備、通訊儀表等產(chǎn)品中大量使用

超級(jí)結(jié) MOS也叫Super Junction MOSFET，是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的MOS管。超結(jié)MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場(chǎng)合使用。